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| K4E160811D-B Vorbei Hergestellt: | 
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 | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E160811D-F, K4E160812D-B, K4E170812D-F, K4E170812D-B, K4E170811D-F, |
Download K4E160811D-B datasheet von Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
| K4E160811D | Ansicht K4E160811D-B zu unserem Katalog | K4E160811D-F |