 |
|
| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
|
| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| K4E160812D-B Vorbei Hergestellt: | 
|
 | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E160811D-F, K4E160811D-B, K4E170812D-F, K4E170812D-B, K4E170811D-F, |
Download K4E160812D-B datasheet von Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
| K4E160812D | Ansicht K4E160812D-B zu unserem Katalog | K4E160812D-F |