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K4E170811D-F Vorbei Hergestellt: |
2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E160811D-F, K4E160811D-B, K4E160812D-B, K4E170812D-F, K4E170812D-B, |
Download K4E170811D-F datasheet von Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
K4E170811D-B | Ansicht K4E170811D-F zu unserem Katalog | K4E170812D |