Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
55841 | 2SC5050 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55842 | 2SC5051 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55843 | 2SC5051 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55844 | 2SC5051 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55845 | 2SC5052 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN, TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
55846 | 2SC5053 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
55847 | 2SC5058S | 25V, 50 mA, 300 MHz Hochfrequenzverstärkertransistors | ROHM |
55848 | 2SC5060 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
55849 | 2SC5061 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55850 | 2SC5061 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
55851 | 2SC5061 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55852 | 2SC5061 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
55853 | 2SC5062 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55854 | 2SC5062 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
55855 | 2SC5062 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
55856 | 2SC5062 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
55857 | 2SC5063 | Durchbruchsspannungschnellschaltung dreifaches type(For Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planares hohe) | Panasonic |
55858 | 2SC5064 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
55859 | 2SC5065 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
55860 | 2SC5066 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
55861 | 2SC5066FT | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
55862 | 2SC5069 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker, Treiber-Anwendungen | SANYO |
55863 | 2SC5070 | NPN Epitaxial- Planarer Silikon-Transistor | SANYO |
55864 | 2SC5071 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
55865 | 2SC5075 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
55866 | 2SC5076 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS). HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
55867 | 2SC5077 | Durchbruchsspannungschnellschaltung dreifaches type(For Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planares hohe) | Panasonic |
55868 | 2SC5077A | Durchbruchsspannungschnellschaltung dreifaches type(For Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planares hohe) | Panasonic |
55869 | 2SC5078 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55870 | 2SC5078 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55871 | 2SC5079 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55872 | 2SC5079 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55873 | 2SC5080 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55874 | 2SC5080 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55875 | 2SC5080 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55876 | 2SC5081 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
55877 | 2SC5081 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
55878 | 2SC5081 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
55879 | 2SC5084 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
55880 | 2SC5085 | Epitaxial- Planare Art VHF~UHF Band-Niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen Des Transistor-Silikon-NPN | TOSHIBA |
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