| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 55961 | 2SC5172 | DREIFACHES ZERSTREUTES (PCT PROZESS) GETASTETES NETZTEIL DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 55962 | 2SC5173 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG UND VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN. FÄRBEN SIE FERNSEHAPPARAT HORIZONTALE TREIBER-ANWENDUNGEN. FÄRBEN SIE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNG | TOSHIBA |
| 55963 | 2SC5174 | EPITAXIAL- ART ENDVERSTÄRKER DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN UND TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 55964 | 2SC5175 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 55965 | 2SC5176 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. DC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 55966 | 2SC5177 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55967 | 2SC5177-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55968 | 2SC5177-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55969 | 2SC5178 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55970 | 2SC5178-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55971 | 2SC5178-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55972 | 2SC5178R | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55973 | 2SC5178R-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55974 | 2SC5178R-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55975 | 2SC5179 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM KLEINEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55976 | 2SC5179-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM KLEINEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55977 | 2SC5179-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM KLEINEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55978 | 2SC5180 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55979 | 2SC5180-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55980 | 2SC5180-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55981 | 2SC5181 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55982 | 2SC5181-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55983 | 2SC5182 | NPS EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55984 | 2SC5182-T1 | NPS EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55985 | 2SC5182-T2 | NPS EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55986 | 2SC5183 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55987 | 2SC5183-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55988 | 2SC5183-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55989 | 2SC518383R | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 55990 | 2SC518383R | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 55991 | 2SC5183R | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55992 | 2SC5183R-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55993 | 2SC5183R-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 55994 | 2SC5184 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55995 | 2SC5184-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55996 | 2SC5184-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55997 | 2SC5185 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55998 | 2SC5185-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 55999 | 2SC5185-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 56000 | 2SC5186 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
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