Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
56001 | 2SC5186-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
56002 | 2SC5190 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz für Tuners | Panasonic |
56003 | 2SC5191 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56004 | 2SC5191-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56005 | 2SC5191-T2 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56006 | 2SC5192 | MIKROWELLE STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN SILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
56007 | 2SC5192-T1 | MIKROWELLE STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN SILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
56008 | 2SC5192-T2 | MIKROWELLE STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN SILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
56009 | 2SC5192R | Niederspannungsantrieb, Hochfrequenz-Transistor | NEC |
56010 | 2SC5192R-T1 | Niederspannungsantrieb, Hochfrequenz-Transistor | NEC |
56011 | 2SC5192R-T2 | Niederspannungsantrieb, Hochfrequenz-Transistor | NEC |
56012 | 2SC5193 | MIKROWELLE NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-VERTRAG DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
56013 | 2SC5193-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-VERTRAG DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
56014 | 2SC5193-T2 | MIKROWELLE NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-VERTRAG DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
56015 | 2SC5194 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56016 | 2SC5194-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56017 | 2SC5194-T2 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56018 | 2SC5195 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56019 | 2SC5195-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
56020 | 2SC5196 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
56021 | 2SC5196 | NPN PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER) | Wing Shing Computer Components |
56022 | 2SC5197 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
56023 | 2SC5198 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
56024 | 2SC5199 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
56025 | 2SC5200 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
56026 | 2SC5200 | NPN Epitaxial Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
56027 | 2SC5200N | Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen | TOSHIBA |
56028 | 2SC5201 | DREIFACHE ZERSTREUTE MESA ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN.HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
56029 | 2SC5207A | DREIFACHES ZERSTREUTES PLANARES DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
56030 | 2SC5209 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
56031 | 2SC5209 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-NPN | Isahaya Electronics Corporation |
56032 | 2SC5210 | 500mW SMD NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 250V Vceo, 100mA Ic, 55-230 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
56033 | 2SC5211 | SILIKON NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
56034 | 2SC5211 | SILIKON NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
56035 | 2SC5212 | FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-NP | Isahaya Electronics Corporation |
56036 | 2SC5212 | FÜR STARK GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-NP | Isahaya Electronics Corporation |
56037 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
56038 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
56039 | 2SC5214 | Für Niederfrequenz Verstärken Sie Anwendung Silikon Npn Epitaxial- Art | Isahaya Electronics Corporation |
56040 | 2SC5214 | Für Niederfrequenz Verstärken Sie Anwendung Silikon Npn Epitaxial- Art | Isahaya Electronics Corporation |
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