| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 49041 | 2N6547 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE LA ALTA ENERGÍA NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49042 | 2N6547 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49043 | 2N6547 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE LA SERIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49044 | 2N6547 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49045 | 2N6547 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | ON Semiconductor |
| 49046 | 2N6547-D | Transistores De Energía Del Silicio De la Serie NPN de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 49047 | 2N6548 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49048 | 2N6549 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49049 | 2N6550 | N-Canal unión de silicio de efecto de campo transistor | InterFET Corporation |
| 49050 | 2N6551 | Los transistores complementarios del silicio fabricados por el proceso planar epitaial diseñaron para el amplificador audio de fines generales | Central Semiconductor |
| 49051 | 2N6552 | Los transistores complementarios del silicio fabricados por el proceso planar epitaial diseñaron para el amplificador audio de fines generales | Central Semiconductor |
| 49052 | 2N6553 | Los transistores complementarios del silicio fabricados por el proceso planar epitaial diseñaron para el amplificador audio de fines generales | Central Semiconductor |
| 49053 | 2N6554 | Los transistores complementarios del silicio fabricados por el proceso planar epitaial diseñaron para el amplificador audio de fines generales | Central Semiconductor |
| 49054 | 2N6555 | Los transistores complementarios del silicio fabricados por el proceso planar epitaial diseñaron para el amplificador audio de fines generales | Central Semiconductor |
| 49055 | 2N6556 | Los transistores complementarios del silicio fabricados por el proceso planar epitaial diseñaron para el amplificador audio de fines generales | Central Semiconductor |
| 49056 | 2N6560 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 49057 | 2N6560 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 49058 | 2N6564 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 49059 | 2N6564 | 300 V, rectificador controlado de silicio | Boca Semiconductor Corporation |
| 49060 | 2N6565 | SCR Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 49061 | 2N6565 | SCRs Sensible | Teccor Electronics |
| 49062 | 2N6565 | 400 V, rectificador controlado de silicio | Boca Semiconductor Corporation |
| 49063 | 2N6569 | ENERGÍA TRANSISTORS(1À, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49064 | 2N6569 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49065 | 2N656A | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 49066 | 2N657 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
| 49067 | 2N657 | TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Continental Device India Limited |
| 49068 | 2N6575 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 49069 | 2N6575 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 49070 | 2N6576 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49071 | 2N6576 | 15 ENERGÍA TRAN DEL AMPERIO NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49072 | 2N6576 | 15 A NPN Darlington transistor de potencia. 60 V. 120 W. Ganancia de 2000 a las 4 A. | General Electric Solid State |
| 49073 | 2N6577 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49074 | 2N6577 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49075 | 2N6577 | 15 ENERGÍA TRAN DEL AMPERIO NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49076 | 2N6577 | 15 A NPN Darlington transistor de potencia. 90 V. 120 W. Ganancia de 2000 a las 4 A. | General Electric Solid State |
| 49077 | 2N6578 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49078 | 2N6578 | 15 ENERGÍA TRAN DEL AMPERIO NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49079 | 2N6578 | TRANSISTOR BIPOLAR DE LA ENERGÍA DARLINGTON DE NPN | SemeLAB |
| 49080 | 2N6578 | 15 A NPN Darlington transistor de potencia. 120 V. 120 W. Ganancia de 2000 a las 4 A. | General Electric Solid State |
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