| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 49121 | 2N6660 | El N-Canal 60-V (D-s) escoge y quad los mOSFETs | Vishay |
| 49122 | 2N6661 | TRANSISTOR del MOS del MODO del REALCE Del N-canal | SemeLAB |
| 49123 | 2N6661 | TRANSISTORES DEL FET DE LA CONMUTACIÓN DE TMOS | Motorola |
| 49124 | 2N6661 | FETs Verticales Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 49125 | 2N6661 | N-Canal 80-V y MOSFETS 90-V (D-s) | Vishay |
| 49126 | 2N6666 | ENERGÍA TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49127 | 2N6666 | TRANSISTORES PLÁSTICOS del SILICIO De la Medio-energi'a | Boca Semiconductor Corporation |
| 49128 | 2N6666 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49129 | 2N6666 | 10 Un transistor de potencia PNP Darlington. -40 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 3 A. | General Electric Solid State |
| 49130 | 2N6667 | ENERGÍA TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49131 | 2N6667 | TRANSISTORES PLÁSTICOS del SILICIO De la Medio-energi'a | Boca Semiconductor Corporation |
| 49132 | 2N6667 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49133 | 2N6667 | Energía Å 60V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49134 | 2N6667 | 10 Un transistor de potencia PNP Darlington. -60 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 5 A. | General Electric Solid State |
| 49135 | 2N6667-D | Transistores De Energía Del Silicio De Darlington | ON Semiconductor |
| 49136 | 2N6668 | TRANSISTOR DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO PNP | ST Microelectronics |
| 49137 | 2N6668 | TRANSISTOR DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49138 | 2N6668 | TRANSISTOR DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 49139 | 2N6668 | ENERGÍA TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
| 49140 | 2N6668 | TRANSISTORES PLÁSTICOS del SILICIO De la Medio-energi'a | Boca Semiconductor Corporation |
| 49141 | 2N6668 | Transistor De Energía Plomado Darlington | Central Semiconductor |
| 49142 | 2N6668 | Energía Å 80V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 49143 | 2N6668 | 10 Un transistor de potencia PNP Darlington. -80 V. 65 W. Ganancia de 1000 a las 5 A. | General Electric Solid State |
| 49144 | 2N6671 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49145 | 2N6671 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49146 | 2N6672 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49147 | 2N6672 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49148 | 2N6673 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 49149 | 2N6673 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49150 | 2N6673 | 5 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49151 | 2N6674 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49152 | 2N6674 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE LA ENERGÍA DE NPN | Microsemi |
| 49153 | 2N6675 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 49154 | 2N6675 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE LA ENERGÍA DE NPN | Microsemi |
| 49155 | 2N6676 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 49156 | 2N6676 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49157 | 2N6676 | TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49158 | 2N6676 | 15 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN. | General Electric Solid State |
| 49159 | 2N6676 | NPN transistor de potencia de silicio. 15 A, 300 V, 175 W. | Motorola |
| 49160 | 2N6677 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| | | |
