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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
491612N6677TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPNBoca Semiconductor Corporation
491622N667715 transistor di potenza A SwitchMax. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
491632N6677Transistore NPN di potenza al silicio. 15 A, 350 V, 175 W.Motorola
491642N6678Transistore di NPNMicrosemi
491652N6678ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(1ä, 175w)MOSPEC Semiconductor
491662N6678TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPNBoca Semiconductor Corporation
491672N667815 transistor di potenza A SwitchMax. Ad alta tensione di tipo NPN.General Electric Solid State
491682N6678Transistore NPN di potenza al silicio. 15 A, 400 V, 175 W.Motorola
491692N6686Dispositivo Bipolare di NPNSemeLAB
491702N668625 transistor di potenza A SwitchMax. Tipo NPN.General Electric Solid State
491712N6687Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3SemeLAB
491722N6687Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3SemeLAB
491732N668725 transistor di potenza A SwitchMax. Tipo NPN.General Electric Solid State
491742N668825 transistor di potenza A SwitchMax. Tipo NPN.General Electric Solid State
491752N6689Transistore di NPNMicrosemi
491762N6690TRANSISTORE DEL SILICONE DI ALIMENTAZIONE DI NPNMicrosemi
491772N6691Transistore di NPNMicrosemi
491782N6693Transistore di NPNMicrosemi
491792N6702Ad alta corrente di silicio transistor NPN VERSAWATT.General Electric Solid State



491802N6703Ad alta corrente di silicio transistor NPN VERSAWATT.General Electric Solid State
491812N6704Ad alta corrente di silicio transistor NPN VERSAWATT.General Electric Solid State
491822N6705Scopo 0.850W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491832N6707Scopo 0.850W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491842N6708Scopo 0.850W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 45V, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491852N6709Scopo 0.850W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491862N6710Scopo 0.850W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 1.500A Ic, 40 - hFEContinental Device India Limited
491872N6714TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI PLANARI DEL SILICONE DI NPNZetex Semiconductors
491882N6714TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPNBoca Semiconductor Corporation
491892N6714Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
491902N6714Scopo 0.750W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 55 - hFEContinental Device India Limited
491912N6714NPN SILICONE PLANARI transistori di potenza MEDIUMDiodes
491922N6715TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI PLANARI DEL SILICONE DI NPNZetex Semiconductors
491932N6715TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPNBoca Semiconductor Corporation
491942N6715Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
491952N6715Scopo 0.750W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 40V, 1.500A Ic, 55 - hFEContinental Device India Limited
491962N6715NPN SILICONE PLANARI transistori di potenza MEDIUMDiodes
491972N6716TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE MEDI PLANARI DEL SILICONE DI NPNZetex Semiconductors
491982N6716TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI NPNBoca Semiconductor Corporation
491992N6716Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
492002N6716Scopo 0.850W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 1.500A Ic, 80 - hFEContinental Device India Limited
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