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IRF720 prodotto da: |
Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 3.Á/1,800 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF720 datasheet de Intersil |
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MOSFET a canale N, 400V, 3.3A D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF721F1, IRF722, IRF721, IRF722F1, IRF723, |
Scarica IRF720 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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400V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF720PBF, |
Scarica IRF720 datasheet de International Rectifier |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. | Scarica IRF720 datasheet de General Electric Solid State |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF720 datasheet de Samsung Electronic |
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3.Á, 400V, 1,800 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF720 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
IRF713 | Vista IRF720 al nostro catalogo | IRF7201 |