|
| Home | Tutti i fornitori | Dalla funzione | |
|
Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF721 prodotto da: |
MOSFET a canale N, 350V, 3.3A D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF721F1, IRF722, IRF722F1, IRF723, IRF720F1, |
Scarica IRF721 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 344 kb |
|
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 3.0A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF720, |
Scarica IRF721 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
|
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF721 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 278 kb |
|
N-scanalatura dei TRANSISTORI | Scarica IRF721 datasheet de International Rectifier |
pdf 558 kb |
|
Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/350-400 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF322, IRF320-323, IRF321, IRF320, IRF323, |
Scarica IRF721 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF720STRR | Vista IRF721 al nostro catalogo | IRF7210 |