| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 253641 | BCR108L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
| 253642 | BCR108S | Disposição do transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253643 | BCR108S | Transistor De Digital Do Silicone de NPN | Infineon |
| 253644 | BCR108S E6327 | Transistor Internos Duplos do Af Do Resistor; 2xNPN; Tipos industriais de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50V | Infineon |
| 253645 | BCR108SE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253646 | BCR108T | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75 | Infineon |
| 253647 | BCR108TE6327 | Transistor De Digital - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhm | Infineon |
| 253648 | BCR108W | Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito do excitador) | Siemens |
| 253649 | BCR108W | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SOT323 | Infineon |
| 253650 | BCR108WE6327 | Transistor de Digital - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47 | Infineon |
| 253651 | BCR10CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253652 | BCR10CM | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253653 | BCR10CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253654 | BCR10CM-12 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253655 | BCR10CM-12L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253656 | BCR10CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253657 | BCR10CM-8 | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253658 | BCR10CM-8L | Volts Amperes/400-600 Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253659 | BCR10CS | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253660 | BCR10CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253661 | BCR10CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Powerex Power Semiconductors |
| 253662 | BCR10PM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253663 | BCR10PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253664 | BCR10PM | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253665 | BCR10PM-12 | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253666 | BCR10PM-12L | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253667 | BCR10PM-8 | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253668 | BCR10PM-8L | Volts Amperes/400-600 Isolados Do TRIAC 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253669 | BCR10PN | Transistor de Digital - pacote SOT363 | Infineon |
| 253670 | BCR10PN | Disposição de Digital Tansistor do silicone de NPN/PNP (circuito do switching, inversor, circuito de relação, circuito de movimentação) | Siemens |
| 253671 | BCR10UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253672 | BCR112 | Transistor de Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
| 253673 | BCR112 | Transistor de Digital do silicone de NPN (circuito do switching, inversor, circuito do inferface, circuito do excitador) | Siemens |
| 253674 | BCR112F | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSFP-3 | Infineon |
| 253675 | BCR112FE6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253676 | BCR112L3 | Únicos (Constr- no resistor) AF-Transistor digitais no pacote TSLP-3 | Infineon |
| 253677 | BCR112L3E6327 | Transistor de Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253678 | BCR112T | Únicos AF-Transistor (complexos) digitais no pacote SC75 | Infineon |
| 253679 | BCR112TE6327 | Transistor de Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
| 253680 | BCR112U | Transistor De Digital Do Silicone de NPN | Infineon |
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