| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 251001 | BC639 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 251002 | BC639 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 251003 | BC639-10 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 251004 | BC639-10 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 251005 | BC639-16 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 251006 | BC639-16 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 251007 | BC639-16ZL1 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 251008 | BC63916 | Transistor De Puissance Moyen de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251009 | BC63916_D26Z | Transistor De Puissance Moyen de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251010 | BC63916_D27Z | Transistor De Puissance Moyen de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251011 | BC63916_D74Z | Transistor De Puissance Moyen de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251012 | BC639RL1 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 251013 | BC639ZL1 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 251014 | BC639_D26Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251015 | BC639_D27Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251016 | BC639_D74Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251017 | BC639_D75Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251018 | BC639_D81Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251019 | BC639_L34Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251020 | BC640 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 251021 | BC640 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251022 | BC640 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251023 | BC640 | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 251024 | BC640 | TRANSISTORS DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 251025 | BC640 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 251026 | BC640 | Hauts Transistors Courants | Motorola |
| 251027 | BC640 | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 251028 | BC640 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 251029 | BC640 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. VceR = -100V, Vces = -100V, VCEO = -80V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 251030 | BC640-016 | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 251031 | BC640-10 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 251032 | BC640-10 | PNP transistors de puissance moyenne | Philips |
| 251033 | BC640-16 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 251034 | BC640-16 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 251035 | BC640BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251036 | BC640TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251037 | BC640TAR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251038 | BC640TF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251039 | BC640TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251040 | BC640ZL1 | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
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