| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 250881 | BC560B | TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 250882 | BC560BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250883 | BC560BRL1 | Low Noise transistor PNP | ON Semiconductor |
| 250884 | BC560BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250885 | BC560BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250886 | BC560C | Bas Transistors De Bruit | Motorola |
| 250887 | BC560C | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250888 | BC560C | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250889 | BC560C | 50 V, 100 mA, le transistor de silicium PNP | Siemens |
| 250890 | BC560CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250891 | BC560CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250892 | BC560CTAR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250893 | BC560CZL1 | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250894 | BC56PA | 80 V, 1 A transistor NPN moyen de puissance | NXP Semiconductors |
| 250895 | BC587BS | PETIT TRANSISTOR DE SIGNAL DE PNP DE BÂTI DUEL DE SURFACE | Diodes |
| 250896 | BC617 | Transistor De Darlington De Silicium de NPN | Infineon |
| 250897 | BC617 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 250898 | BC618 | Transistor de NPN Darlington | Philips |
| 250899 | BC618 | Transistor De Darlington De Silicium de NPN | Infineon |
| 250900 | BC618 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 250901 | BC618 | Transistors De Darlington | Motorola |
| 250902 | BC618 | Transistor De Plastique De Silicium | ON Semiconductor |
| 250903 | BC618-D | Silicium Des Transistors NPN De Darlington | ON Semiconductor |
| 250904 | BC618RL | Darlington transistor NPN | ON Semiconductor |
| 250905 | BC618RL1 | Transistor De Plastique De Silicium | ON Semiconductor |
| 250906 | BC618ZL1 | Darlington transistor NPN | ON Semiconductor |
| 250907 | BC627 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 250908 | BC628 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 250909 | BC635 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 250910 | BC635 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250911 | BC635 | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPN | ST Microelectronics |
| 250912 | BC635 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 250913 | BC635 | TRANSISTORS DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 250914 | BC635 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 250915 | BC635 | Hauts Transistors Courants | Motorola |
| 250916 | BC635 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 250917 | BC635 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 40 - 250 hFE | Continental Device India Limited |
| 250918 | BC635 | Petit signal transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 250919 | BC635 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. VceR = 45V, 45V = Vces, VCEO = 45V, 5V = Vebo, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 250920 | BC635-10 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
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