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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF451 construit près: |
11A et 13A, 450V et 500V, 0,4 et 0,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF452, IRF453, |
Téléchargement IRF451 datasheet de Intersil |
pdf 62 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF450, |
Téléchargement IRF451 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 219 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A. | Téléchargement IRF451 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
IRF450 | Vue IRF451 à notre catalogue | IRF452 |