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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF453 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 12A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF452, IRF451, IRF450, |
Téléchargement IRF453 datasheet de General Electric Solid State |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF453 datasheet de Samsung Electronic |
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11A et 13A, 450V et 500V, 0,4 et 0,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Téléchargement IRF453 datasheet de Intersil |
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IRF452 | Vue IRF453 à notre catalogue | IRF460 |