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IRFF111 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 3.5A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF112, IRFF110, IRFF113, |
Téléchargement IRFF111 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
IRFF110 | Vue IRFF111 à notre catalogue | IRFF112 |