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K4F641612B-TL60 construit près: |
4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F661612B-TC60, K4F661612B-TL45, K4F661612B-TL50, K4F661612B-TL60, K4F641612B-TC45, |
Téléchargement K4F641612B-TL60 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 848 kb |
K4F641612B-TL50 | Vue K4F641612B-TL60 à notre catalogue | K4F641612C |