|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4F661612B-TC45 construit près: |
4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F661612B-TC60, K4F661612B-TL45, K4F661612B-TL50, K4F661612B-TL60, K4F641612B-TC45, |
Téléchargement K4F661612B-TC45 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 848 kb |
K4F661612B-TC | Vue K4F661612B-TC45 à notre catalogue | K4F661612B-TC50 |