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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF430 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF431, IRF433, IRF432, |
Download IRF430 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Download IRF430 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF430 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
 | 4.5A/ 500V/ 1.500 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF430 datasheet von Intersil |
pdf 61 kb |
 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: JANTX2N6762, JANTXV2N6762, 2N6762, |
Download IRF430 datasheet von International Rectifier |
pdf 151 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Download IRF430 datasheet von SemeLAB |
pdf 27 kb |
| IRF423 | Ansicht IRF430 zu unserem Katalog | IRF430-433 |