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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorMOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF633, IRF631, IRF230, IRF230-233, IRF231,
Transferencia Directa IRF632 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
182 kb
Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF630,
Transferencia Directa IRF632 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
167 kb
IRF631Vista IRF632 a nuestro catálogoIRF633



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