| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 256001 | BD159-D | Transistor Moyen En plastique De Silicium De la Puissance NPN | ON Semiconductor |
| 256002 | BD159STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256003 | BD165 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | Motorola |
| 256004 | BD165 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 hFE. BD166 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256005 | BD166 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De Puissance | Motorola |
| 256006 | BD166 | 20.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 hFE. BD165 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256007 | BD167 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 hFE. BD168 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256008 | BD168 | 20.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 hFE. BD167 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256009 | BD168 | Transistor de puissance PNP de silicium. 1.5 A, 60 V, 20 W. | Motorola |
| 256010 | BD169 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | Motorola |
| 256011 | BD169 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 hFE. BD170 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256012 | BD170 | 20.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 hFE. BD169 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256013 | BD170 | Transistor de puissance PNP de silicium. 1.5 A, 80 V, 20 W. | Motorola |
| 256014 | BD175 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256015 | BD175 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256016 | BD175 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256017 | BD175-10 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256018 | BD175-16 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 100-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256019 | BD175-6 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256020 | BD17510STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256021 | BD17516STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256022 | BD1756STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256023 | BD176 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256024 | BD176 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256025 | BD176 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256026 | BD176-10 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256027 | BD176-16 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 100-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256028 | BD176-6 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256029 | BD17610STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256030 | BD1766STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256031 | BD177 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256032 | BD177 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Fairchild Semiconductor |
| 256033 | BD177 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256034 | BD177-10 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256035 | BD177-6 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256036 | BD178 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256037 | BD178 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256038 | BD178 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256039 | BD178-10 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256040 | BD178-6 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| | | |
