Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
256081 | BD202 | Transistors Complémentaires Amplificateur Tout usage, Commutateur De Silicium | NTE Electronics |
256082 | BD202 | SILICIUM BAS ÉPITAXIAL NPN ET TRANSISTORS DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
256083 | BD202 | 60.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD201 complémentaire | Continental Device India Limited |
256084 | BD202 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -60V 60W. | General Electric Solid State |
256085 | BD203 | SILICIUM BAS ÉPITAXIAL NPN ET TRANSISTORS DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
256086 | BD203 | 60.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD204 complémentaire | Continental Device India Limited |
256087 | BD203 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 80V, 60W. | General Electric Solid State |
256088 | BD204 | SILICIUM BAS ÉPITAXIAL NPN ET TRANSISTORS DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
256089 | BD204 | 60.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD203 complémentaire | Continental Device India Limited |
256090 | BD204 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -80V 60W. | General Electric Solid State |
256091 | BD205 | 10 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère NPN | Motorola |
256092 | BD206 | 10 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère PNP | Motorola |
256093 | BD207 | 10 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère NPN | Motorola |
256094 | BD208 | 10 SILICIUM DU TRANSISTOR DE PUISSANCE D'CAmpère PNP | Motorola |
256095 | BD230 | Transistor de puissance de NPN | Philips |
256096 | BD231 | Transistor de puissance de PNP | Philips |
256097 | BD233 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256098 | BD233 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
256099 | BD233 | 25.000W NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256100 | BD233 | Transistor de puissance NPN de silicium. 2 A, 45 V, 25 W. | Motorola |
256101 | BD233STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256102 | BD234 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256103 | BD234 | TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | ST Microelectronics |
256104 | BD234 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
256105 | BD234 | 25.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256106 | BD234 | Transistor moyen plastique puissance de silicium de PNP. 2 A, 45 V, 25 W. | Motorola |
256107 | BD234 | SILICON transistor PNP | SGS Thomson Microelectronics |
256108 | BD234STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256109 | BD235 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256110 | BD235 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256111 | BD235 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256112 | BD235 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256113 | BD235 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
256114 | BD235 | 25.000W NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256115 | BD235STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256116 | BD236 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256117 | BD236 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256118 | BD236 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256119 | BD236 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256120 | BD236 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
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