| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 256041 | BD17810STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256042 | BD179 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256043 | BD179 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | ST Microelectronics |
| 256044 | BD179 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 256045 | BD179 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPNP De Puissance | Motorola |
| 256046 | BD179 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256047 | BD179 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | ON Semiconductor |
| 256048 | BD179 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256049 | BD179-10 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPNP De Puissance | Motorola |
| 256050 | BD179-10 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | ON Semiconductor |
| 256051 | BD179-10 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256052 | BD179-6 | 30.000W NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256053 | BD179-D | Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De Puissance | ON Semiconductor |
| 256054 | BD17910STU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256055 | BD180 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256056 | BD180 | Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De Puissance | Motorola |
| 256057 | BD180 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 256058 | BD180 | Puissance Á 80V PNP | ON Semiconductor |
| 256059 | BD180 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256060 | BD180-10 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 63-160 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256061 | BD180-6 | 30.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 40-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256062 | BD180-D | Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De Puissance | ON Semiconductor |
| 256063 | BD18010STU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256064 | BD181 | TRANSISTORS du SILICIUM De haute puissance NPN | General Semiconductor |
| 256065 | BD181 | Silicon NPN transistor de puissance élevée. 55V, 117W. | General Electric Solid State |
| 256066 | BD182 | PUISSANCE LINERAR DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN ET APPLICATIONS DE COMMUTATION | Comset Semiconductors |
| 256067 | BD182 | PUISSANCE LINERAR DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN ET APPLICATIONS DE COMMUTATION | Comset Semiconductors |
| 256068 | BD182 | Silicon NPN transistor de puissance élevée. 70V, 117W. | General Electric Solid State |
| 256069 | BD183 | PUISSANCE LINERAR DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN ET APPLICATIONS DE COMMUTATION | Comset Semiconductors |
| 256070 | BD183 | PUISSANCE LINERAR DE TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN ET APPLICATIONS DE COMMUTATION | Comset Semiconductors |
| 256071 | BD183 | Silicon NPN transistor de puissance élevée. 85V, 117W. | General Electric Solid State |
| 256072 | BD185 | Transistor de puissance NPN de silicium. 4 A, 30 V, 40 W. | Motorola |
| 256073 | BD186 | TRANSISTOR MOYEN EN PLASTIQUE DU SILICIUM PNP DE PUISSANCE | Motorola |
| 256074 | BD187 | Transistor de puissance NPN de silicium. 4 A, 45 V, 40 W. | Motorola |
| 256075 | BD188 | TRANSISTOR MOYEN EN PLASTIQUE DU SILICIUM PNP DE PUISSANCE | Motorola |
| 256076 | BD189 | Transistor de puissance NPN de silicium. 4 A, 60 V, 40 W. | Motorola |
| 256077 | BD190 | TRANSISTOR MOYEN EN PLASTIQUE DU SILICIUM PNP DE PUISSANCE | Motorola |
| 256078 | BD201 | SILICIUM BAS ÉPITAXIAL NPN ET TRANSISTORS DE PNP VERSAWATT | General Semiconductor |
| 256079 | BD201 | 60.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 8.000A Ic, 30 hFE. BD202 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 256080 | BD201 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. 60V 60W. | General Electric Solid State |
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