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2N6517 construit près: |
TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Téléchargement 2N6517 datasheet de Samsung Electronic |
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Transistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tension | Téléchargement 2N6517 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 350V VCEO, 0,500A Ic, 20 HFE - D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6515, 2N6516, 2N6519, 2N6520, |
Téléchargement 2N6517 datasheet de Continental Device India Limited |
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TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Téléchargement 2N6517 datasheet de Zetex Semiconductors |
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Transistors À haute tension D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6515RLRM, 2N6517RLRA, 2N6517RLRP, 2N6520RLRA, |
Téléchargement 2N6517 datasheet de ON Semiconductor |
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Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6518, |
Téléchargement 2N6517 datasheet de Central Semiconductor |
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Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | Téléchargement 2N6517 datasheet de MCC |
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Transistor À haute tension 625mW | Téléchargement 2N6517 datasheet de Micro Commercial Components |
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Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 350V = VCEO. Tension collecteur-base: 350V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | Téléchargement 2N6517 datasheet de USHA India LTD |
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2N6516 | Vue 2N6517 à notre catalogue | 2N6517BU |