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2N6518 construit près: |
Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Téléchargement 2N6518 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Téléchargement 2N6518 datasheet de Samsung Electronic |
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Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6520, 2N6519, 2N6517, 2N6515, 2N6516, |
Téléchargement 2N6518 datasheet de Central Semiconductor |
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Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = 250V. Tension collecteur-base: VCBO = 250V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | Téléchargement 2N6518 datasheet de USHA India LTD |
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2N6517TA | Vue 2N6518 à notre catalogue | 2N6518BU |