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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
259161BF423TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
259162BF423Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse)Siemens
259163BF423Transistor de silicium de PNP (application à haute tension d'équipement de moniteur d'application)AUK Corp
259164BF423Transistors(PNP) À haute tensionMotorola
259165BF423Plastique PNP De Silicium De TransistorON Semiconductor
259166BF4230.800W haute tension PNP Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 0,500A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
259167BF423LTransistors à haute tension de PNPPhilips
259168BF423RL1High Voltage transistor PNPON Semiconductor
259169BF423ZL1Plastique PNP De Silicium De TransistorON Semiconductor
259170BF440Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259171BF441Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259172BF450Transistor moyen de fréquence de PNPPhilips
259173BF457Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259174BF457TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPNSiemens
259175BF457AMPLIFICATEURS VISUELS À HAUTE TENSIONST Microelectronics
259176BF45710.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259177BF457Amplificateurs vidéo HAUTE TENSIONSGS Thomson Microelectronics
259178BF458TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPNSiemens
259179BF458Transistors à haute tension de NPNPhilips



259180BF458AMPLIFICATEURS VISUELS À HAUTE TENSIONST Microelectronics
259181BF45810.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259182BF458TRANSISTOR DE PUISSANCESGS Thomson Microelectronics
259183BF459Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259184BF459TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE NPNSiemens
259185BF459Transistors à haute tension de NPNPhilips
259186BF459AMPLIFICATEURS VISUELS À HAUTE TENSIONST Microelectronics
259187BF45910.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259188BF459Transistor NPN polarité Tension VCEO 300 V Courant, Ic av. 0,1 A de puissance Ptot 6 WSGS Thomson Microelectronics
259189BF469Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259190BF469TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPNSiemens
259191BF469Transistors à haute tension de NPNPhilips
259192BF4692.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 0.030A Ic, 50 hFE. Complémentaire BF470Continental Device India Limited
259193BF470Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259194BF470TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPSiemens
259195BF470Transistors à haute tension de PNPPhilips
259196BF4702.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 250V VCEO, 0.030A Ic, 50 hFE. Complémentaire BF469Continental Device India Limited
259197BF471TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE NPNSiemens
259198BF471Transistors à haute tension de NPNPhilips
259199BF4712.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0.030A Ic, 50 hFE. Complémentaire BF472Continental Device India Limited
259200BF472TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPSiemens
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