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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
259241BF513transistors d'effet de champ de silicium de N-canalPhilips
259242BF513FET à canal N de siliciumNXP Semiconductors
259243BF517Rf-Bipolaire - pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tunersInfineon
259244BF517Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners)Siemens
259245BF519Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259246BF520Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259247BF521Czêstotliwo¶ci de wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259248BF543Rf-transistor MOSFET - VDS=15v, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dBInfineon
259249BF543Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners)Siemens
259250BF545Atransistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canalPhilips
259251BF545AFET à canal NNXP Semiconductors
259252BF545Btransistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canalPhilips
259253BF545BFET à canal NNXP Semiconductors
259254BF545Ctransistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canalPhilips
259255BF545CFET à canal NNXP Semiconductors
259256BF547NPN transistor de bande large de 1 gigahertzPhilips
259257BF547WNPN transistor de bande large de 1 gigahertzPhilips
259258BF550Transistor moyen de fréquence de PNPPhilips
259259BF550Transistor du silicium rf de PNP (pour les étapes communes d'amplificateur d'émetteur jusqu'à 300 mégahertz pour des applications de mélangeur dans des radios d'cAm/fm et des tuners de VHF TV)Siemens



259260BF550Transistor PNP fréquence moyenneNXP Semiconductors
259261BF554Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications small-signal générales de rf jusqu'à 300 mégahertz dans des circuits d'amplificateur, de mélangeur et d'oscillateur)Siemens
259262BF554Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
259263BF556Atransistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canalPhilips
259264BF556AFET à canal NNXP Semiconductors
259265BF556Btransistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canalPhilips
259266BF556BFET à canal NNXP Semiconductors
259267BF556Ctransistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canalPhilips
259268BF556CFET à canal NNXP Semiconductors
259269BF562transistor du silicium rf de npnSiemens
259270BF568TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNPSiemens
259271BF569Transistor Planaire Du Silicium PNP RfVishay
259272BF569Transistor du silicium rf de PNPInfineon
259273BF569Transistor du silicium rf de PNP (pour des OSCILLATEURS, des MÉLANGEURS ET DES ÉTAPES de MÉLANGEUR d'Individu-oscillation DANS DES TUNERS à fréquence ultra-haute de TV)Siemens
259274BF569RTransistor Planaire Du Silicium PNP RfVishay
259275BF569WTransistor du silicium rf de PNPInfineon
259276BF569WTransistor du silicium rf de PNP (pour les oscillateurs, le mélangeur et les étapes d'individu-oscillation de mélangeur dans le TV-tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute)Siemens
259277BF570Transistor moyen de fréquence de NPNPhilips
259278BF570Transistor NPN de fréquence moyenneNXP Semiconductors
259279BF579Transistor Planaire Du Silicium PNP RfVishay
259280BF579RTransistor Planaire Du Silicium PNP RfVishay
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