Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
259241 | BF513 | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
259242 | BF513 | FET à canal N de silicium | NXP Semiconductors |
259243 | BF517 | Rf-Bipolaire - pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners | Infineon |
259244 | BF517 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners) | Siemens |
259245 | BF519 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259246 | BF520 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259247 | BF521 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
259248 | BF543 | Rf-transistor MOSFET - VDS=15v, gfs=12mS, Gp=22dB, F=1dB | Infineon |
259249 | BF543 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners) | Siemens |
259250 | BF545A | transistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canal | Philips |
259251 | BF545A | FET à canal N | NXP Semiconductors |
259252 | BF545B | transistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canal | Philips |
259253 | BF545B | FET à canal N | NXP Semiconductors |
259254 | BF545C | transistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canal | Philips |
259255 | BF545C | FET à canal N | NXP Semiconductors |
259256 | BF547 | NPN transistor de bande large de 1 gigahertz | Philips |
259257 | BF547W | NPN transistor de bande large de 1 gigahertz | Philips |
259258 | BF550 | Transistor moyen de fréquence de PNP | Philips |
259259 | BF550 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les étapes communes d'amplificateur d'émetteur jusqu'à 300 mégahertz pour des applications de mélangeur dans des radios d'cAm/fm et des tuners de VHF TV) | Siemens |
259260 | BF550 | Transistor PNP fréquence moyenne | NXP Semiconductors |
259261 | BF554 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications small-signal générales de rf jusqu'à 300 mégahertz dans des circuits d'amplificateur, de mélangeur et d'oscillateur) | Siemens |
259262 | BF554 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
259263 | BF556A | transistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canal | Philips |
259264 | BF556A | FET à canal N | NXP Semiconductors |
259265 | BF556B | transistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canal | Philips |
259266 | BF556B | FET à canal N | NXP Semiconductors |
259267 | BF556C | transistors d'effet de champ de jonction de silicium de N-canal | Philips |
259268 | BF556C | FET à canal N | NXP Semiconductors |
259269 | BF562 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
259270 | BF568 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
259271 | BF569 | Transistor Planaire Du Silicium PNP Rf | Vishay |
259272 | BF569 | Transistor du silicium rf de PNP | Infineon |
259273 | BF569 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des OSCILLATEURS, des MÉLANGEURS ET DES ÉTAPES de MÉLANGEUR d'Individu-oscillation DANS DES TUNERS à fréquence ultra-haute de TV) | Siemens |
259274 | BF569R | Transistor Planaire Du Silicium PNP Rf | Vishay |
259275 | BF569W | Transistor du silicium rf de PNP | Infineon |
259276 | BF569W | Transistor du silicium rf de PNP (pour les oscillateurs, le mélangeur et les étapes d'individu-oscillation de mélangeur dans le TV-tuner À FRÉQUENCE ULTRA-haute) | Siemens |
259277 | BF570 | Transistor moyen de fréquence de NPN | Philips |
259278 | BF570 | Transistor NPN de fréquence moyenne | NXP Semiconductors |
259279 | BF579 | Transistor Planaire Du Silicium PNP Rf | Vishay |
259280 | BF579R | Transistor Planaire Du Silicium PNP Rf | Vishay |
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