| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48281 | 2N6071-D | Thyristors Bidirectionnels De Porte De Silicium Sensible De Triacs | ON Semiconductor |
| 48282 | 2N6071A | Triacs 4 AMPÈRES de RMS 200 600 VOLTS | Motorola |
| 48283 | 2N6071A | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48284 | 2N6071B | Triacs 4 AMPÈRES de RMS 200 600 VOLTS | Motorola |
| 48285 | 2N6071B | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48286 | 2N6071BT | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48287 | 2N6072 | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 300 V. | Motorola |
| 48288 | 2N6072A | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 300 V. | Motorola |
| 48289 | 2N6072B | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 300 V. | Motorola |
| 48290 | 2N6073 | TRIAC Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 48291 | 2N6073 | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 400 V. | Motorola |
| 48292 | 2N6073A | Triacs 4 AMPÈRES de RMS 200 600 VOLTS | Motorola |
| 48293 | 2N6073A | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48294 | 2N6073A | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48295 | 2N6073B | Triacs 4 AMPÈRES de RMS 200 600 VOLTS | Motorola |
| 48296 | 2N6073B | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48297 | 2N6074 | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 500 V. | Motorola |
| 48298 | 2N6074A | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 500 V. | Motorola |
| 48299 | 2N6074B | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 500 V. | Motorola |
| 48300 | 2N6075 | Sensible porte triac. Thyristor bidirectionnel silicium. 4 A RMS. Crête répétitive à l'état bloqué tension de 600 V. | Motorola |
| 48301 | 2N6075A | Triacs 4 AMPÈRES de RMS 200 600 VOLTS | Motorola |
| 48302 | 2N6075A | TRIAC Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 48303 | 2N6075A | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48304 | 2N6075B | Triacs 4 AMPÈRES de RMS 200 600 VOLTS | Motorola |
| 48305 | 2N6075B | Triacs Sensibles De Porte | ON Semiconductor |
| 48306 | 2N6076 | PETIT TRANSISTOR DE SIGNAL DU SILICIUM PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48307 | 2N6076 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48308 | 2N6076 | Transistor de silicium PNP. 25V, 100mA. | General Electric Solid State |
| 48309 | 2N6076_D26Z | Petit Transistor De Signal Du Silicium PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48310 | 2N6076_D27Z | Petit Transistor De Signal Du Silicium PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48311 | 2N6076_D75Z | Petit Transistor De Signal Du Silicium PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48312 | 2N6077 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 48313 | 2N6077 | Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 48314 | 2N6078 | TRANSISTOR de PUISSANCE Multi-épitaxial de NPN | SemeLAB |
| 48315 | 2N6078 | TRANSISTOR de PUISSANCE Multi-épitaxial de NPN | SemeLAB |
| 48316 | 2N6078 | Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 48317 | 2N6079 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO66 | SemeLAB |
| 48318 | 2N6079 | Haute tension, haute puissance silicium transistor NPN. | General Electric Solid State |
| 48319 | 2N6080 | Rf | Microsemi |
| 48320 | 2N6080 | Rf | Microsemi |
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