| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48361 | 2N6111 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DU SILICIUM PNP | ST Microelectronics |
| 48362 | 2N6111 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DU SILICIUM PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48363 | 2N6111 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DU SILICIUM PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48364 | 2N6111 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48365 | 2N6111 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48366 | 2N6111 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48367 | 2N6111 | Puissance 7A 30V PNP Discret | ON Semiconductor |
| 48368 | 2N6111 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 7.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48369 | 2N6111 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -40V. | General Electric Solid State |
| 48370 | 2N6116 | Silicon transistor de unijuction programmable. | Motorola |
| 48371 | 2N6117 | Silicon transistor de unijuction programmable. | Motorola |
| 48372 | 2N6118 | Silicon transistor de unijuction programmable. | Motorola |
| 48373 | 2N6121 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | MOSPEC Semiconductor |
| 48374 | 2N6121 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 48375 | 2N6121 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48376 | 2N6121 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 4.000A Ic, 10 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48377 | 2N6121 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 45V. | General Electric Solid State |
| 48378 | 2N6122 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | MOSPEC Semiconductor |
| 48379 | 2N6122 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 48380 | 2N6122 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48381 | 2N6122 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48382 | 2N6122 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V. | General Electric Solid State |
| 48383 | 2N6123 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | MOSPEC Semiconductor |
| 48384 | 2N6123 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 48385 | 2N6123 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48386 | 2N6123 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48387 | 2N6123 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V. | General Electric Solid State |
| 48388 | 2N6124 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | MOSPEC Semiconductor |
| 48389 | 2N6124 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 48390 | 2N6124 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48391 | 2N6124 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48392 | 2N6124 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -45V. | General Electric Solid State |
| 48393 | 2N6125 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | MOSPEC Semiconductor |
| 48394 | 2N6125 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 48395 | 2N6125 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48396 | 2N6125 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48397 | 2N6125 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
| 48398 | 2N6126 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | MOSPEC Semiconductor |
| 48399 | 2N6126 | Puissance moyenne linéaire et applications de commutation | Boca Semiconductor Corporation |
| 48400 | 2N6126 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
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