| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48481 | 2N6250 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 48482 | 2N6250 | 375V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
| 48483 | 2N6251 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48484 | 2N6251 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Central Semiconductor |
| 48485 | 2N6251 | 450V, 30A, 175W silicium NPN switcing transistor. | General Electric Solid State |
| 48486 | 2N6253 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 48487 | 2N6253 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48488 | 2N6253 | 45V haute puissance silicium transistor NPN | Comset Semiconductors |
| 48489 | 2N6253 | Haute puissance silicium de transistor NPN. 55V, 115W. | General Electric Solid State |
| 48490 | 2N6254 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48491 | 2N6254 | Transistors De Silicium | Advanced Semiconductor |
| 48492 | 2N6254 | 80V haute puissance silicium transistor NPN | Comset Semiconductors |
| 48493 | 2N6254 | Haute puissance silicium de transistor NPN. 100V, 150W. | General Electric Solid State |
| 48494 | 2N6255 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 48495 | 2N6257 | Transistors De Paquet De la Puissance TO-3 (NPN) | Unknow |
| 48496 | 2N6257 | Transistors De Paquet De la Puissance TO-3 (NPN) | Unknow |
| 48497 | 2N6259 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 150v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48498 | 2N6259 | Haute tension, le transistor de puissance haute. 170V, 250W. | General Electric Solid State |
| 48499 | 2N6260 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48500 | 2N6261 | TRANSISTOR MOYEN du SILICIUM NPN de PUISSANCE De Hometaxial-base | SemeLAB |
| 48501 | 2N6261 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48502 | 2N6262 | Silicium à haute tension de transistor NPN. 170V, 150W. | General Electric Solid State |
| 48503 | 2N6263 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48504 | 2N6263 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48505 | 2N6263 | Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 140V, 20W. | General Electric Solid State |
| 48506 | 2N6264 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48507 | 2N6264 | Puissance moyenne de silicium transistor NPN. 170V, 50W. | General Electric Solid State |
| 48508 | 2N6270 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 48509 | 2N6274 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48510 | 2N6274 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | ON Semiconductor |
| 48511 | 2N6275 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | ON Semiconductor |
| 48512 | 2N6276 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 48513 | 2N6277 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 48514 | 2N6277 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | ON Semiconductor |
| 48515 | 2N6282 | PUISSANCE TRANSISTORS(20a, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48516 | 2N6282 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE DARLINGTON COPLEMENTARY | Boca Semiconductor Corporation |
| 48517 | 2N6282 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48518 | 2N6282 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | ON Semiconductor |
| 48519 | 2N6282 | 20 Un NPN et PNP complémentaire transistor de puissance Darlington monolithique. Cote la plus haute 60 V (min) tension. 160 W. | General Electric Solid State |
| 48520 | 2N6283 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
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