| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48401 | 2N6126 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48402 | 2N6126 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
| 48403 | 2N6129 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48404 | 2N6130 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48405 | 2N6131 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48406 | 2N6132 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48407 | 2N6133 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48408 | 2N6134 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48409 | 2N6137 | TO-18 Planaire Militaire Hermétique | Unitrode |
| 48410 | 2N6137 | TO-18 Planaire Militaire Hermétique | Unitrode |
| 48411 | 2N6145 | THYRISTORS DE TRIODE DU SILICIUM BIDIRECTIOANAL | Motorola |
| 48412 | 2N6146 | THYRISTORS DE TRIODE DU SILICIUM BIDIRECTIOANAL | Motorola |
| 48413 | 2N6147 | THYRISTORS DE TRIODE DU SILICIUM BIDIRECTIOANAL | Motorola |
| 48414 | 2N6153 | Thyristor Bidirectionnel De Triode (TRIAC) | Semitronics |
| 48415 | 2N6166 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 48416 | 2N6171 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 48417 | 2N6172 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 48418 | 2N6173 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 48419 | 2N6174 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 48420 | 2N6188 | 100 V, 10 A transistor PNP à grande vitesse | Solid State Devices Inc |
| 48421 | 2N6189 | 100 V, 10 A transistor PNP à grande vitesse | Solid State Devices Inc |
| 48422 | 2N6190 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48423 | 2N6190 | Polarité PNP De la Géométrie 9700 Du Type 2C6193 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 48424 | 2N6191 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48425 | 2N6191 | Polarité PNP De la Géométrie 9700 Du Type 2C6193 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 48426 | 2N6192 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48427 | 2N6192 | Polarité PNP De la Géométrie 9700 Du Type 2C6193 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 48428 | 2N6192 | 100 V, 5 A transistor PNP à grande vitesse | Solid State Devices Inc |
| 48429 | 2N6193 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48430 | 2N6193 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 48431 | 2N6193 | Polarité PNP De la Géométrie 9700 Du Type 2C6193 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
| 48432 | 2N6193 | 100 V, 5 A transistor PNP à grande vitesse | Solid State Devices Inc |
| 48433 | 2N6198 | 12 W, 28 V, 100-200 MHz communication VHF | Acrian |
| 48434 | 2N6199 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 48435 | 2N6199 | 25 W, 28 V, 100-200 MHz communication VHF | Acrian |
| 48436 | 2N6200 | B40-28 40 WATTS - 28 VOLTS 100-200 MÉGAHERTZ | Acrian |
| 48437 | 2N6200 | B40-28 40 WATTS - 28 VOLTS 100-200 MÉGAHERTZ | Acrian |
| 48438 | 2N6211 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 48439 | 2N6211 | PUISSANCE TRANSISTORS(à, 35W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48440 | 2N6211 | TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Milieu-puissance PNP | Boca Semiconductor Corporation |
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