Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48881 | 2N6488 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE NPN/pnp | Boca Semiconductor Corporation |
48882 | 2N6488 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48883 | 2N6488 | Ç$ä 80V NPN Discret De Puissance | ON Semiconductor |
48884 | 2N6488 | 75.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48885 | 2N6488 | 15A, 75W, silicium transistor NPN épitaxiale base VERSAWATT. 90V. | General Electric Solid State |
48886 | 2N6489 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
48887 | 2N6489 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE NPN/pnp | Boca Semiconductor Corporation |
48888 | 2N6489 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48889 | 2N6489 | 75.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48890 | 2N6489 | 15A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -50V. | General Electric Solid State |
48891 | 2N6490 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
48892 | 2N6490 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
48893 | 2N6490 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
48894 | 2N6490 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
48895 | 2N6490 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE NPN/pnp | Boca Semiconductor Corporation |
48896 | 2N6490 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48897 | 2N6490 | Ç$ä 80V NPN Discret De Puissance | ON Semiconductor |
48898 | 2N6490 | 75.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48899 | 2N6490 | 15A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -70V. | General Electric Solid State |
48900 | 2N6491 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
48901 | 2N6491 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE NPN/pnp | Boca Semiconductor Corporation |
48902 | 2N6491 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48903 | 2N6491 | Ç$ä 80V PNP Discret De Puissance | ON Semiconductor |
48904 | 2N6491 | 75.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 15.000A Ic, 20-150 hFE. | Continental Device India Limited |
48905 | 2N6491 | 15A, 75W, PNP épitaxiale de silicium à base de transistor VERSAWATT. -90V. | General Electric Solid State |
48906 | 2N6494 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
48907 | 2N6496 | Courant élevé, haute puissance, transistor NPN silicium plane à grande vitesse. | General Electric Solid State |
48908 | 2N6497 | PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
48909 | 2N6497 | TRANSISTORS DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
48910 | 2N6497 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48911 | 2N6497 | Puissance Ä 250V NPN Discret | ON Semiconductor |
48912 | 2N6497-D | Transistors De Puissance À haute tension De Silicium de NPN | ON Semiconductor |
48913 | 2N6498 | PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
48914 | 2N6498 | TRANSISTORS DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
48915 | 2N6498 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48916 | 2N6498 | SILICIUM DES TRANSISTORS DE PUISSANCE NPN | ON Semiconductor |
48917 | 2N6499 | PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 80w) | MOSPEC Semiconductor |
48918 | 2N6499 | TRANSISTORS DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DE SILICIUM DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
48919 | 2N6499 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48920 | 2N6500 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
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