Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48961 | 2N6516 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE - | Continental Device India Limited |
48962 | 2N6516 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48963 | 2N6517 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
48964 | 2N6517 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
48965 | 2N6517 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
48966 | 2N6517 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48967 | 2N6517 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48968 | 2N6517 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
48969 | 2N6517 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 350V VCEO, 0,500A Ic, 20 HFE - | Continental Device India Limited |
48970 | 2N6517 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
48971 | 2N6517 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 350V = VCEO. Tension collecteur-base: 350V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
48972 | 2N6517BU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
48973 | 2N6517CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
48974 | 2N6517CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
48975 | 2N6517RLRA | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48976 | 2N6517RLRP | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48977 | 2N6517TA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
48978 | 2N6518 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
48979 | 2N6518 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48980 | 2N6518 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
48981 | 2N6518 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = 250V. Tension collecteur-base: VCBO = 250V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
48982 | 2N6518BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
48983 | 2N6518TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
48984 | 2N6519 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
48985 | 2N6519 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
48986 | 2N6519 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48987 | 2N6519 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
48988 | 2N6519 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
48989 | 2N6519 | 0.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE - | Continental Device India Limited |
48990 | 2N6519 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | MCC |
48991 | 2N6519 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -300V. Tension collecteur-base: VCBO = -300V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
48992 | 2N6519BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
48993 | 2N6519RLRA | Transistors à haute tension | ON Semiconductor |
48994 | 2N6519TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
48995 | 2N6520 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Fairchild Semiconductor |
48996 | 2N6520 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Zetex Semiconductors |
48997 | 2N6520 | Transistor À haute tension 625mW | Micro Commercial Components |
48998 | 2N6520 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
48999 | 2N6520 | Transistors À haute tension | ON Semiconductor |
49000 | 2N6520 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| | | |