| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49081 | 2N657A | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49082 | 2N6581 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 49083 | 2N6583 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 49084 | 2N6594 | PUISSANCE TRANSISTORS(1à, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49085 | 2N6594 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 49086 | 2N6594 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49087 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49088 | 2N660 | SCRs | Central Semiconductor |
| 49089 | 2N6605 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 49090 | 2N6606 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 49091 | 2N6607 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 49092 | 2N6608 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 49093 | 2N6609 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 140v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49094 | 2N6609 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | Boca Semiconductor Corporation |
| 49095 | 2N6609 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49096 | 2N6609 | Puissance 1Ã 140V PNP Discret | ON Semiconductor |
| 49097 | 2N6609 | Silicon PNP épitaxiale-base du transistor de puissance élevée. -160V, 150W. | General Electric Solid State |
| 49098 | 2N6619 | 12 V, 30 mA, le transistor NPN de silicium pour amplificateur à faible bruit RF large bande et l'application de commutation à grande vitesse | Siemens |
| 49099 | 2N6620 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN POUR LE BAS AMPLIFICATEUR À BANDE LARGEDU BRUIT RF | Siemens |
| 49100 | 2N6620 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN POUR LE BAS AMPLIFICATEUR À BANDE LARGEDU BRUIT RF | Siemens |
| 49101 | 2N6621 | 25 V, 25 Ma, le transistor à large bande RF silicium NPN | Siemens |
| 49102 | 2N6648 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49103 | 2N6648 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49104 | 2N6648 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49105 | 2N6648 | 10 transistor de puissance PNP Darlington. -40 V. 70 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49106 | 2N6649 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49107 | 2N6649 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49108 | 2N6649 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49109 | 2N6649 | 10 transistor de puissance PNP Darlington. -60 V. 70 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49110 | 2N6650 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 49111 | 2N6650 | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49112 | 2N6650 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49113 | 2N6650 | 10 transistor de puissance PNP Darlington. -80 V. 70 W. gain de 1000 à 5 A. | General Electric Solid State |
| 49114 | 2N6653 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 49115 | 2N6654 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 49116 | 2N6655 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49117 | 2N6659 | TRANSISTOR de MOS de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SemeLAB |
| 49118 | 2N6659 | TRANSISTORS DE FET DE COMMUTATION DE TMOS | Motorola |
| 49119 | 2N6660 | TRANSISTORS DE FET DE COMMUTATION DE TMOS | Motorola |
| 49120 | 2N6660 | FETS Verticaux Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
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