| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 49041 | 2N6547 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE LA PUISSANCE ÉLEVÉE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 49042 | 2N6547 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49043 | 2N6547 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE LA SÉRIE NPN DE SWITCHMODE | Boca Semiconductor Corporation |
| 49044 | 2N6547 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49045 | 2N6547 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | ON Semiconductor |
| 49046 | 2N6547-D | Transistors De Puissance De Silicium De la Série NPN de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 49047 | 2N6548 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49048 | 2N6549 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49049 | 2N6550 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 49050 | 2N6551 | Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usage | Central Semiconductor |
| 49051 | 2N6552 | Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usage | Central Semiconductor |
| 49052 | 2N6553 | Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usage | Central Semiconductor |
| 49053 | 2N6554 | Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usage | Central Semiconductor |
| 49054 | 2N6555 | Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usage | Central Semiconductor |
| 49055 | 2N6556 | Les transistors complémentaires de silicium construits par le processus planaire epitaial ont conçu pour l'amplificateur audio tout usage | Central Semiconductor |
| 49056 | 2N6560 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 49057 | 2N6560 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 49058 | 2N6564 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 49059 | 2N6564 | 300 V, redresseur commandé au silicium | Boca Semiconductor Corporation |
| 49060 | 2N6565 | Thyristor Plombé De Thyristor | Central Semiconductor |
| 49061 | 2N6565 | SCRs Sensible | Teccor Electronics |
| 49062 | 2N6565 | 400 V, redresseur commandé au silicium | Boca Semiconductor Corporation |
| 49063 | 2N6569 | PUISSANCE TRANSISTORS(1à, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49064 | 2N6569 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 49065 | 2N656A | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 49066 | 2N657 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 49067 | 2N657 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 49068 | 2N6575 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 49069 | 2N6575 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 49070 | 2N6576 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49071 | 2N6576 | 15 PUISSANCE TRAN DE L'CAmpère NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49072 | 2N6576 | 15 Un NPN Darlington transistor de puissance. 60 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A. | General Electric Solid State |
| 49073 | 2N6577 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 49074 | 2N6577 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49075 | 2N6577 | 15 PUISSANCE TRAN DE L'CAmpère NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49076 | 2N6577 | 15 Un NPN Darlington transistor de puissance. 90 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A. | General Electric Solid State |
| 49077 | 2N6578 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 49078 | 2N6578 | 15 PUISSANCE TRAN DE L'CAmpère NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49079 | 2N6578 | TRANSISTOR BIPOLAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE NPN | SemeLAB |
| 49080 | 2N6578 | 15 Un NPN Darlington transistor de puissance. 120 V. 120 W. Gain de l'année 2000 à 4 A. | General Electric Solid State |
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