| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567401 | IRF1010NSTRR | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567402 | IRF1010Z | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567403 | IRF1010ZL | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567404 | IRF1010ZS | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567405 | IRF1104 | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567406 | IRF1104L | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567407 | IRF1104PBF | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567408 | IRF1104S | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567409 | IRF1104STRL | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567410 | IRF1104STRR | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567411 | IRF120 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567412 | IRF120 | 8.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissance | Intersil |
| 567413 | IRF120 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567414 | IRF120 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 32A courant. | General Electric Solid State |
| 567415 | IRF120-123 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567416 | IRF121 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567417 | IRF121 | 8.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissance | Intersil |
| 567418 | IRF121 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567419 | IRF121 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 32A courant. | General Electric Solid State |
| 567420 | IRF122 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567421 | IRF122 | 8.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissance | Intersil |
| 567422 | IRF122 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567423 | IRF122 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 28A courant. | General Electric Solid State |
| 567424 | IRF123 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567425 | IRF123 | 8.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissance | Intersil |
| 567426 | IRF123 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567427 | IRF123 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 28A courant. | General Electric Solid State |
| 567428 | IRF130 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567429 | IRF130 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567430 | IRF130 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567431 | IRF130 | Transistor MOSFET De Puissance Du 1Â/100V/0,160 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567432 | IRF130 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567433 | IRF130 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 56A courant. | General Electric Solid State |
| 567434 | IRF130-133 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567435 | IRF1302 | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567436 | IRF1302L | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567437 | IRF1302S | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567438 | IRF130SMD | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal POUR DES APPLICATIONS de HI.rel | SemeLAB |
| 567439 | IRF131 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567440 | IRF131 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| | | |
