598780 | K4D64163HF-TC60 | le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit | Samsung Electronic |
598781 | K4E151611 | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598782 | K4E151611D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598783 | K4E151611D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598784 | K4E151611D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598785 | K4E151612D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598786 | K4E151612D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. | Samsung Electronic |
598787 | K4E151612D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. | Samsung Electronic |
598788 | K4E16(7)0411(2)D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598789 | K4E16(7)0811(2)D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598790 | K4E160411D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598791 | K4E160411D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598792 | K4E160411D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598793 | K4E160412D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598794 | K4E160412D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598795 | K4E160412D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598796 | K4E160811D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598797 | K4E160811D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598798 | K4E160811D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598799 | K4E160812D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598800 | K4E160812D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
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