| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 49041 | 2N6547 | HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 49042 | 2N6547 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49043 | 2N6547 | SWITCHMODE REIHE NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 49044 | 2N6547 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49045 | 2N6547 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ON Semiconductor |
| 49046 | 2N6547-D | SWITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 49047 | 2N6548 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49048 | 2N6549 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49049 | 2N6550 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 49050 | 2N6551 | Die ergänzenden Silikon-Transistoren, die durch den epitaial planaren Prozeß hergestellt wurden, entwarfen für universellen Audioverstärker | Central Semiconductor |
| 49051 | 2N6552 | Die ergänzenden Silikon-Transistoren, die durch den epitaial planaren Prozeß hergestellt wurden, entwarfen für universellen Audioverstärker | Central Semiconductor |
| 49052 | 2N6553 | Die ergänzenden Silikon-Transistoren, die durch den epitaial planaren Prozeß hergestellt wurden, entwarfen für universellen Audioverstärker | Central Semiconductor |
| 49053 | 2N6554 | Die ergänzenden Silikon-Transistoren, die durch den epitaial planaren Prozeß hergestellt wurden, entwarfen für universellen Audioverstärker | Central Semiconductor |
| 49054 | 2N6555 | Die ergänzenden Silikon-Transistoren, die durch den epitaial planaren Prozeß hergestellt wurden, entwarfen für universellen Audioverstärker | Central Semiconductor |
| 49055 | 2N6556 | Die ergänzenden Silikon-Transistoren, die durch den epitaial planaren Prozeß hergestellt wurden, entwarfen für universellen Audioverstärker | Central Semiconductor |
| 49056 | 2N6560 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3. | SemeLAB |
| 49057 | 2N6560 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3. | SemeLAB |
| 49058 | 2N6564 | Verbleiter Thyristor Störungsbesuch | Central Semiconductor |
| 49059 | 2N6564 | 300 V, gesteuerte Siliziumgleichrichter | Boca Semiconductor Corporation |
| 49060 | 2N6565 | Verbleiter Thyristor Störungsbesuch | Central Semiconductor |
| 49061 | 2N6565 | Empfindliches SCRs | Teccor Electronics |
| 49062 | 2N6565 | 400 V, gesteuerte Siliziumgleichrichter | Boca Semiconductor Corporation |
| 49063 | 2N6569 | ENERGIE TRANSISTORS(12A, 40v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 49064 | 2N6569 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49065 | 2N656A | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 49066 | 2N657 | NPN SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Continental Device India Limited |
| 49067 | 2N657 | NPN SILIKON-PLANARER TRANSISTOR | Continental Device India Limited |
| 49068 | 2N6575 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 49069 | 2N6575 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 49070 | 2N6576 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49071 | 2N6576 | 15 ENERGIE TRAN DES AMPERE-NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49072 | 2N6576 | 15 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 60 V. 120 W. Gewinn 2000 bei 4 A. | General Electric Solid State |
| 49073 | 2N6577 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 49074 | 2N6577 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49075 | 2N6577 | 15 ENERGIE TRAN DES AMPERE-NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49076 | 2N6577 | 15 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 90 V. 120 W. Gewinn 2000 bei 4 A. | General Electric Solid State |
| 49077 | 2N6578 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 49078 | 2N6578 | 15 ENERGIE TRAN DES AMPERE-NPN DARLINGTON | General Semiconductor |
| 49079 | 2N6578 | NPN ZWEIPOLIGER ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOR | SemeLAB |
| 49080 | 2N6578 | 15 A NPN Darlington-Leistungstransistor. 120 V. 120 W. Gewinn 2000 bei 4 A. | General Electric Solid State |
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