| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1163761 | STD100NH03L | N-canal 30V - 0,005 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163762 | STD100NH03LT4 | N-canal 30V - 0,005 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 60A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163763 | STD10N60M2 | N-canal 600 V, 0,55 Ohm typ., 7,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163764 | STD10NF06L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 10A DPAK STRIPFET II Du N-canal 60V 0,1 | ST Microelectronics |
| 1163765 | STD10NF06L | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 10A DPAK STRIPFET II Du N-canal 60V 0,1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163766 | STD10NF10 | N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE Du 1Á IPAK/dpak | ST Microelectronics |
| 1163767 | STD10NF10 | N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE Du 1Á IPAK/dpak | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163768 | STD10NF10T4 | N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE Du 1Á IPAK/dpak | ST Microelectronics |
| 1163769 | STD10NF30 | Automobile qualité à canal N 300 V, 0,28 Ohm typ., 10 A avec superposition en maille (TM) MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1163770 | STD10NM50N | N-canal 500 V, 0,53 Ohm, 7 A DPAK MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163771 | STD10NM60N | N-canal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, DPAK MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163772 | STD10NM60ND | N-canal 600 V, 0,57 Ohm, 8 A, DPAK FDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163773 | STD10NM65N | N-canal 650 V, 0,43 Ohm, 9 A, DPAK deuxième génération MDmesh (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163774 | STD10P6F6 | P-canal 60 V, 0,13 Ohm typ., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163775 | STD10PF06 | P-canal 60V - 0,18 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163776 | STD10PF06 | P-canal 60V - 0,18 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163777 | STD10PF06 | P - la MANCHE 60V - 0,18 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163778 | STD10PF06-1 | P-canal 60V - 0,18 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163779 | STD10PF06T4 | P-canal 60V - 0,18 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 10A IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163780 | STD110 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163781 | STD110 ASIC | Table des matières De Livre | Samsung Electronic |
| 1163782 | STD110 ASIC | Caractéristiques | Samsung Electronic |
| 1163783 | STD110 ASIC | Au sujet de Sec ASIC | Samsung Electronic |
| 1163784 | STD110 ASIC | Introduction | Samsung Electronic |
| 1163785 | STD110NH02L | N-canal 24V - 0,0044 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163786 | STD110NH02L | N-canal 24V - 0,0044 Ohm - 80A DPAK STripFET III PUISSANCE MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163787 | STD110NH02LT4 | N-canal 24V - 0,0044 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 80A DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163788 | STD111 ASIC | Table des matières De Livre | Samsung Electronic |
| 1163789 | STD111 ASIC | Introduction | Samsung Electronic |
| 1163790 | STD111 ASIC | Caractéristiques | Samsung Electronic |
| 1163791 | STD111 ASIC | PLL 2013X | Samsung Electronic |
| 1163792 | STD11N65M2 | N-canal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163793 | STD11N65M5 | N-canal 650 V, 0,43 Ohm, 9 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163794 | STD11NM50N | N-canal 500 V, 0,4 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance en DPAK | ST Microelectronics |
| 1163795 | STD11NM60N | À canal N 600 V, 0,37 Ohm, 10 A MDmesh (TM) II transistor MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1163796 | STD11NM60ND | Canal N 600V - 0.37Ohm - 10A - FDmesh II MOSFET de puissance DPAK | ST Microelectronics |
| 1163797 | STD11NM65N | N-canal 650 V, 0,425 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163798 | STD120N4F6 | N-canal 40 V, 3,5 mOhm, 80 A, DPAK, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163799 | STD120N4LF6 | N-canal 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163800 | STD1224N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
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