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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1163841STD130 ASICPossibilités de paquetSamsung Electronic
1163842STD130 ASICSortance maximumSamsung Electronic
1163843STD130 ASICPLL 2073XSamsung Electronic
1163844STD130 ASICBasses Mémoires De PuissanceSamsung Electronic
1163845STD130 ASICMémoires À haute densitéSamsung Electronic
1163846STD130 ASICCellules d'cIp d'cI/oSamsung Electronic
1163847STD130 ASICVue d'ensemble d'cIp d'cI/o& I/oSamsung Electronic
1163848STD130 ASICGlossaire des limites analoguesSamsung Electronic
1163849STD130 ASICBrochure STD130Samsung Electronic
1163850STD130 ASICCellules d'cI/oSamsung Electronic
1163851STD130 ASICCharge standard équivalente pour des couchesSamsung Electronic
1163852STD13003TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163853STD13003TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
1163854STD13003Transistor De Puissance De Silicium de NPNAUK Corp
1163855STD13003-1TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163856STD13003LTransistor De Puissance De Silicium de NPNAUK Corp
1163857STD13003T4TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163858STD13005FTransistor De Puissance De Silicium de NPNAUK Corp



1163859STD13005FCTransistor De Puissance De Silicium de NPNAUK Corp
1163860STD13007FTransistor De Puissance De Silicium de NPNAUK Corp
1163861STD13007FCTransistor De Puissance De Silicium de NPNAUK Corp
1163862STD131 ASICTable des matières De LivreSamsung Electronic
1163863STD131 ASICGlossaire des limites analoguesSamsung Electronic
1163864STD131 ASICBrochure STD130Samsung Electronic
1163865STD131 ASICCharge standard équivalente pour des couchesSamsung Electronic
1163866STD131 ASICVue d'ensemble d'cIp d'cI/o& I/oSamsung Electronic
1163867STD131 ASICPLL 2073XSamsung Electronic
1163868STD131 ASICBasses Mémoires De PuissanceSamsung Electronic
1163869STD131 ASICCellules d'cI/oSamsung Electronic
1163870STD131 ASICMémoires À haute densitéSamsung Electronic
1163871STD131 ASICMélanges PrimitifsSamsung Electronic
1163872STD131 ASICVerrous PrimitifsSamsung Electronic
1163873STD131 ASICFlip/Flops PrimitifSamsung Electronic
1163874STD131 ASICCellules Primitives De LogiqueSamsung Electronic
1163875STD131 ASICVue d'ensemble PrimitiveSamsung Electronic
1163876STD131 ASICCellules d'cIp d'cI/oSamsung Electronic
1163877STD131 ASICCaractéristiquesSamsung Electronic
1163878STD131 ASICSortance maximumSamsung Electronic
1163879STD131 ASICIntroductionSamsung Electronic
1163880STD131 ASICPossibilités de paquetSamsung Electronic
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