| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1163881 | STD13N60M2 | N-canal 600 V, 0,35 Ohm typ., 11 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163882 | STD13NM60N | N-canal 600 V, 0,28 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163883 | STD13NM60ND | N-canal 600 V, 0,32 Ohm typ., 11 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163884 | STD150 ASIC | Characteristics(Jan. 22, 2002) | Samsung Electronic |
| 1163885 | STD150 ASIC | Flip/Flops Primitif | Samsung Electronic |
| 1163886 | STD150 ASIC | Cellules Primitives De Logique | Samsung Electronic |
| 1163887 | STD150 ASIC | Vue d'ensemble Primitive | Samsung Electronic |
| 1163888 | STD150 ASIC | Introduction(Jan. 22, 2002) | Samsung Electronic |
| 1163889 | STD150 ASIC | Inverseur 1,0 De la Brochure STD150 | Samsung Electronic |
| 1163890 | STD150 ASIC | Verrous Primitifs | Samsung Electronic |
| 1163891 | STD150 ASIC | Mélanges Primitifs | Samsung Electronic |
| 1163892 | STD150 ASIC | Cellules d'cI/o | Samsung Electronic |
| 1163893 | STD150 ASIC | Mémoires À haute densité | Samsung Electronic |
| 1163894 | STD150 ASIC | Timmings | Samsung Electronic |
| 1163895 | STD150 ASIC | PLL2108X (janv. 17, 2002) | Samsung Electronic |
| 1163896 | STD150 ASIC | Glossaire des limites analogues | Samsung Electronic |
| 1163897 | STD150 ASIC | Possibilités De Paquet | Samsung Electronic |
| 1163898 | STD150 ASIC | Cellules d'cIp d'cI/o | Samsung Electronic |
| 1163899 | STD150 ASIC | Cellule D'Entrée-sortie | Samsung Electronic |
| 1163900 | STD150 ASIC | Fanouts Maximum | Samsung Electronic |
| 1163901 | STD150N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A, DPAK MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163902 | STD150NH02L | N-canal 24V - 0,0033 OHMS - Transistor MOSFET De 150A CLIPPAK/ipak STRIPFET III POUR LA CONVERSION C.c-C.c | ST Microelectronics |
| 1163903 | STD150NH02L | N-canal 24V - 150A MOSFET CLIPPAK / IPAK STripFET III pour la conversion CC-CC - 0,0033 OHM | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163904 | STD150NH02L-1 | N-canal 24V - 0,003 OHMS - Transistor MOSFET De 150A CLIPPAK/ipak STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163905 | STD150NH02LT4 | N-canal 24V - 0,003 OHMS - Transistor MOSFET De 150A CLIPPAK/ipak STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1163906 | STD155N3H6 | N-canal 30 V, 2,5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1163907 | STD155N3LH6 | N-canal 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163908 | STD15N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163909 | STD15N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163910 | STD15N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163911 | STD15N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163912 | STD15N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163913 | STD15N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163914 | STD15N65M5 | N-canal 650 V, 0,308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163915 | STD15NF10 | N-canal 100V - 0,060 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2Á DPAK | ST Microelectronics |
| 1163916 | STD15NF10 | N-canal 100V - 0,060 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2Á DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163917 | STD15NF10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Óhm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE Du 1Ä To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163918 | STD15NF10T4 | N-canal 100V - 0,060 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 2Á DPAK | ST Microelectronics |
| 1163919 | STD1664 | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163920 | STD16N50M2 | N-canal 500 V, 0,24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
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