| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1163801 | STD1224N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1163802 | STD1224N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1163803 | STD123ASF | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163804 | STD123S | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163805 | STD123SF | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163806 | STD123U | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163807 | STD123UF | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163808 | STD127DT4 | Une haute tension à commutation rapide du transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 1163809 | STD129 | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163810 | STD12N05 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163811 | STD12N05 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163812 | STD12N05 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163813 | STD12N05L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163814 | STD12N05L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163815 | STD12N05L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163816 | STD12N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163817 | STD12N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163818 | STD12N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163819 | STD12N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163820 | STD12N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163821 | STD12N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163822 | STD12N10L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163823 | STD12N10L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163824 | STD12N10L | N - la MANCHE 100V - 0,12 Ohms - BAS TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE de SEUIL Du 1À To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163825 | STD12N65M5 | N-canal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance DPAK | ST Microelectronics |
| 1163826 | STD12NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,08 Ohms - 1À - IPAK/dpak CHOISISSENT LE Transistor MOSFET de PUISSANCE de TAILLE de DISPOSITIF | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163827 | STD12NE06L | N-canal 60V - 0,09 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163828 | STD12NE06L | N-canal 60V - 0,09 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163829 | STD12NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,09 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163830 | STD12NF06 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163831 | STD12NF06 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163832 | STD12NF06-1 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163833 | STD12NF06L | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163834 | STD12NF06L | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163835 | STD12NF06L-1 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163836 | STD12NF06LT4 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163837 | STD12NF06T4 | N-canal 60V - 0,08 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE Du 1À IPAK/dpak STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163838 | STD12NM50ND | N-canal 500 V, 0,29 Ohm typ., 11 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163839 | STD130 ASIC | Table des matières De Livre | Samsung Electronic |
| 1163840 | STD130 ASIC | Introduction | Samsung Electronic |
| | | |
