| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1163921 | STD16N65M2 | N-canal 650 V, 0,32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1163922 | STD16N65M5 | N-canal 650 V, 0,230 Ohm, 12 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance en DPAK | ST Microelectronics |
| 1163923 | STD16NE06 | N-canal 60V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK/ipak STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163924 | STD16NE06 | N - la MANCHE 60V - 0,07 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK/ipak STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163925 | STD16NE06-1 | N-canal 60V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK/ipak STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163926 | STD16NE06L | N-canal 60V - 0,06 OHMS - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163927 | STD16NE06L | N - la MANCHE 60V - 0,07 Ohms - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163928 | STD16NE06L-1 | N-canal 60V - 0,07 OHMS - 1Ã - To-251 - Transistor MOSFET de PUISSANCE de STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163929 | STD16NE06L-1 | N - la MANCHE 60V - 0,07 Ohms - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-251 STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163930 | STD16NE06LT4 | N-canal 60V - 0,06 OHMS - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163931 | STD16NE06T4 | N-canal 60V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK/ipak STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163932 | STD16NE10 | N-canal 100V - 0,07 OHMS - 1Ã - Transistor MOSFET de PUISSANCE d'cIpak/dpak STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163933 | STD16NE10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Ohm - 1Ã - Transistor MOSFET d'cIpak/dpak STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163934 | STD16NE10L | N-canal 100V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163935 | STD16NE10L | N - la MANCHE 100V - 0,07 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163936 | STD16NE10LT4 | N-canal 100V - 0,07 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 1Ã DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163937 | STD16NF06 | Canal N 100V - 0.019Y - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK | ST Microelectronics |
| 1163938 | STD16NF06L | N-canal 60V - 0,060 & - 1Ã DPAK STripFET™ II TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1163939 | STD16NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.060 - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 24A DPAK/IPAK STripFET II | ST Microelectronics |
| 1163940 | STD16NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.060 - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 24A DPAK/IPAK STripFET II | ST Microelectronics |
| 1163941 | STD16NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.060 - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 24A DPAK/IPAK STripFET II | ST Microelectronics |
| 1163942 | STD16NF06LT4 | N-canal 60V - 0,060 & - 1Ã DPAK STripFET™ II TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1163943 | STD16NF06T4 | Canal N 100V - 0.019Y - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK | ST Microelectronics |
| 1163944 | STD16NF25 | N-canal 250 V, 0,195 Ohm, 14 A STripFET (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1163945 | STD1766 | Transistor De Silicium de NPN | AUK Corp |
| 1163946 | STD17N05 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163947 | STD17N05 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163948 | STD17N05 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163949 | STD17N05L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163950 | STD17N05L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163951 | STD17N05L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163952 | STD17N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163953 | STD17N06 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163954 | STD17N06 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163955 | STD17N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1163956 | STD17N06L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163957 | STD17N06L | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De SEUIL De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE BAS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163958 | STD17NE03L | N-canal 30V - 0,034 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 17A DPAK/ipak STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163959 | STD17NE03L | N - la MANCHE 30V - 0.03Ôhms - 17A - Transistor MOSFET de PUISSANCE de DPAK/ipak STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163960 | STD17NF03 | N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 17A - Transistor MOSFET de DPAK/IPAK STripFET.?OWER | ST Microelectronics |
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